ラウンドヒル メモリー ETF

ラウンドヒル メモリー ETFについて

ラウンドヒル メモリ ETF (DRAM) は、世界の半導体メモリ業界内で集中的な投資機会を投資家に提供するように設計されています。そのポートフォリオは、メモリ製品および関連技術で大きな市場プレゼンスと収益を誇る大手企業を優先するように戦略的に構築されています。これには、高帯域幅メモリ、ダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM)、NAND フラッシュ メモリ (NAND 上に構築されたソリッド ステート ドライブを含む)、NOR フラッシュ メモリ、ハードディスク ドライブ、特殊なメモリ コンポーネントまたは組み込みメモリ コンポーネントなど、幅広いメモリ ソリューションが含まれます。このファンドが大手の資本規模の大きな企業を意図的に重視していることは、人工知能の進歩を支援するために不可欠であると考えられている。アクティブな投資アプローチを実行するために、ファンドは普通株式やスワップやフォワードなどの金融デリバティブに柔軟に投資できます。ポートフォリオのウェイトの配分は修正された時価総額手法に従い、単一の企業がファンドの 25% を超えて構成できないようにする安全策が講じられています。これらの重み付けは、メモリー分野における各企業の市場での地位と収益創出に関するアドバイザーの評価によって決定されます。ポートフォリオは少なくとも 3 か月ごとにリバランスが行われます。