2027年、メモリ不足は深刻化か

AIインフラの拡大に伴い、高性能メモリ「HBM（High Bandwidth Memory）」や「DRAM（Dynamic Random-Access Memory）」の需要が供給を上回り、価格は少なくとも2027年まで高止まりする見通しです。

この状況は、AI分野への集中投資をためらう投資家にとって、分散投資の選択肢としてDRAM関連ETF（上場投資信託）が注目される理由となっています。このETFは、マイクロン（MU）、サムスン電子（005930.KS）、SKハイニックス（000660.KS）といった主要メモリメーカーに分散投資する機会を提供します。これらの企業は、既に複数年の供給契約を確保しており、HBM市場を独占しています。

DRAM ETFのポートフォリオは集中度が高いものの、設定来でインデックスをアウトパフォームしており、一部のアナリストは、株価下落局面での買い増しや、ドルコスト平均法（定期的に一定額を投資する方法）を用いた長期的なポジション構築を推奨しています。

さらに、テクノロジーセクターのボラティリティ（価格変動性）を活用し、カバードコール戦略（保有する株式に対してコールオプションを売却する戦略）を通じて月次のキャッシュフローを生み出す高利回りETF「XLKI」も、インカムゲインを求める投資家にとって魅力的な選択肢となる可能性があります。